- 深圳市易佳杰电子科技有限公司
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营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳
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- IC产品 | 元器件产品
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- 说明:AWM2000系列气体流量传感器: AWM2000系列为无源器件,包含两个惠斯顿电桥:一个为闭环的发热控制电路,一个为双传感电路. 。双向气流传感 。实际气体质量流量传感 。流速0~30sccm 到0~1000sccm 。能承受最大共膜压力25PSI 。需另加发热器控制及传感桥路供电电路 。工作温度:-25~+85℃ 。供电电压:10VDC 。输出电压:最大5
- 更新:2026-07-14 10:58:21
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- 名称:S2386-5K 供应 日本 HAMAMATSU 红外光电传感器 易佳杰热销产品
- 类别:eof
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- 说明:光敏传感器的基础是光电效应,即利用光子照射在器件上,使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用,在现代科技发展中起到了十分重要的作用。光电探测器部分涵盖了普通的光电二极管,雪崩二极管,光电倍增管:形成了从x射线(7nm)到紫外,可见光,近红外,直至中红外波段3000nm的常用产品覆盖;封装形式从Chip Level到C
- 更新:2026-07-14 10:59:39
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- 名称:S2386-18L 分析仪器 光学测量设备用日本 HAMAMATSU光电二极管
- 类别:eof
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- 说明:光敏传感器的基础是光电效应,即利用光子照射在器件上,使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用,在现代科技发展中起到了十分重要的作用。光电探测器部分涵盖了普通的光电二极管,雪崩二极管,光电倍增管:形成了从x射线(7nm)到紫外,可见光,近红外,直至中红外波段3000nm的常用产品覆盖;封装形式从Chip Le
- 更新:2026-07-14 10:59:17
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- 说明:光敏传感器的基础是光电效应,即利用光子照射在器件上,使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用,在现代科技发展中起到了十分重要的作用。光电探测器部分涵盖了普通的光电二极管,雪崩二极管,光电倍增管:形成了从x射线(7nm)到紫外,可见光,近红外,直至中红外波段3000nm的常用产品覆盖;封装形式从Chip Level到C
- 更新:2026-07-14 10:59:23
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- 说明:光敏传感器的基础是光电效应,即利用光子照射在器件上,使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用,在现代科技发展中起到了十分重要的作用。光电探测器部分涵盖了普通的光电二极管,雪崩二极管,光电倍增管:形成了从x射线(7nm)到紫外,可见光,近红外,直至中红外波段3000nm的常用产品覆盖;封装形式从Chip Level到C
- 更新:2026-07-14 10:59:37
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- 说明:光敏传感器的基础是光电效应,即利用光子照射在器件上,使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用,在现代科技发展中起到了十分重要的作用。光电探测器部分涵盖了普通的光电二极管,雪崩二极管,光电倍增管:形成了从x射线(7nm)到紫外,可见光,近红外,直至中红外波段3000nm的常用产品覆盖;封装形式从Chip Level到C
- 更新:2026-07-14 10:59:46
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- 说明:光敏传感器的基础是光电效应,即利用光子照射在器件上,使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用,在现代科技发展中起到了十分重要的作用。光电探测器部分涵盖了普通的光电二极管,雪崩二极管,光电倍增管:形成了从x射线(7nm)到紫外,可见光,近红外,直至中红外波段3000nm的常用产品覆盖;封装形式从Chip Le
- 更新:2026-07-14 10:59:38
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- 说明:光敏传感器的基础是光电效应,即利用光子照射在器件上,使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用,在现代科技发展中起到了十分重要的作用。光电探测器部分涵盖了普通的光电二极管,雪崩二极管,光电倍增管:形成了从x射线(7nm)到紫外,可见光,近红外,直至中红外波段3000nm的常用产品覆盖;封装形式从Chip Le
- 更新:2026-07-14 10:59:16
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- 说明:S1226-8BK 是一款 硅光电二极管(Silicon Photodiode),主要用于高精度光信号检测,尤其在紫外至可见光波段表现突出。以下是基于公开资料的详细解析:一、核心技术参数光谱响应范围190 nm ~ 1000 nm,覆盖紫外、可见光及近红外区域。峰值灵敏度波长:720 nm(典型值),适用于荧光检测、光谱分析等场景。光电特性灵敏度:0.36 A/W(λ=720
- 更新:2026-07-14 10:59:43
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- 说明:光敏传感器的基础是光电效应,即利用光子照射在器件上,使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用,在现代科技发展中起到了十分重要的作用。光电探测器部分涵盖了普通的光电二极管,雪崩二极管,光电倍增管:形成了从x射线(7nm)到紫外,可见光,近红外,直至中红外波段3000nm的常用产品覆盖;封装形式从Chip Level到C
- 更新:2026-07-14 10:59:18









